Play
"โตชิบาฯ" ผนึก "เวสเทิร์น ดิจิตอล" เปิดโรงงาน "Fab 6" ผลิตเมมโมรีแฟลช
"โตชิบา เมมโมรี่" ผนึก "เวสเทิร์น ดิจิตอล" เปิดโรงงาน Fab 6 พร้อมศูนย์วิจัยและพัฒนาหน่วยความจำ ณ เมืองยกไกชิ ประเทศญี่ปุ่น
ดร.ยาซูโอะ นารุเคะ ประธานและประธานกรรมการบริหารของโตชิบา เมมโมรี่ กล่าวว่า โตชิบา เมมโมรี่ เริ่มการก่อสร้างโรงงาน Fab 6 เพื่อผลิตหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติโดยเฉพาะ ตั้งแต่เดือน ก.พ. 2560 ซึ่งโตชิบา เมมโมรี่ และเวสเทิร์น ดิจิตอล ได้ติดตั้งอุปกรณ์การผลิตที่ทันสมัยสำหรับกระบวนการผลิตที่สำคัญ ได้แก่ การระเหิดกลับและการกัดกรด
[caption id="attachment_323250" align="aligncenter" width="503"]
ดร.ยาซูโอะ นารุเคะ[/caption]
ทั้งนี้ การผลิตหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 96 เลเยอร์นี้เริ่มขึ้นเมื่อต้นเดือนนี้ ความต้องการหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ สำหรับเซิร์ฟเวอร์สำหรับองค์กร ศูนย์ข้อมูล และสมาร์ทโฟนนั้น กำลังเติบโตขึ้นและคาดว่าจะขยายตัวต่อเนื่องในอีกหลายปีข้างหน้า ทางด้านการลงทุนเพื่อขยายการผลิตให้สอดคล้องกับแนวโน้มของตลาดก็จะมีเพิ่มมากขึ้นนั้น ขณะที่ ศูนย์วิจัยและพัฒนาหน่วยความจำ ซึ่งอยู่ติดกับ Fab 6 ได้เริ่มดำเนินการในเดือน มี.ค. ปีนี้ และจะสำรวจและส่งเสริมความก้าวหน้าในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ โตชิบา เมมโมรี่ และเวสเทิร์น ดิจิตอล ยังคงพัฒนาและขยายความเป็นผู้นำในธุรกิจหน่วยความจำ ด้วยการพัฒนาโครงการที่มุ่งเสริมสร้างความสามารถในการแข่งขัน การพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3 มิติร่วมกัน และทำการลงทุนตามแนวโน้มของตลาด
ด้าน นายสตีฟ มิลลิแกน ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของเวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวว่า โรงงาน Fab 6 และศูนย์วิจัยและพัฒนาหน่วยความจำกับโตชิบา เมมโมรี่ จะส่งเสริมการเติบโตและนวัตกรรมของเทคโนโลยีแฟลชแบบ NAND เรากำลังดำเนินการผลิต NAND แบบ 3 มิติ 96 เลเยอร์ เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาด จากผู้บริโภคและแอพพลิเคชันโทรศัพท์มือถือไปยังศูนย์ข้อมูลแบบคลาวด์ โรงงาน Fab 6 เป็นโรงงานที่มีความก้าวล้ำและทันสมัยที่จะช่วยให้เราสามารถนำเทคโนโลยีและความเป็นผู้นำด้านต้นทุนของเราไปใช้ในอุตสาหกรรมต่อไปได้"
ดร.ยาซูโอะ นารุเคะ ประธานและประธานกรรมการบริหารของโตชิบา เมมโมรี่ กล่าวว่า โตชิบา เมมโมรี่ เริ่มการก่อสร้างโรงงาน Fab 6 เพื่อผลิตหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติโดยเฉพาะ ตั้งแต่เดือน ก.พ. 2560 ซึ่งโตชิบา เมมโมรี่ และเวสเทิร์น ดิจิตอล ได้ติดตั้งอุปกรณ์การผลิตที่ทันสมัยสำหรับกระบวนการผลิตที่สำคัญ ได้แก่ การระเหิดกลับและการกัดกรด
[caption id="attachment_323250" align="aligncenter" width="503"]
ทั้งนี้ การผลิตหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ 96 เลเยอร์นี้เริ่มขึ้นเมื่อต้นเดือนนี้ ความต้องการหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ สำหรับเซิร์ฟเวอร์สำหรับองค์กร ศูนย์ข้อมูล และสมาร์ทโฟนนั้น กำลังเติบโตขึ้นและคาดว่าจะขยายตัวต่อเนื่องในอีกหลายปีข้างหน้า ทางด้านการลงทุนเพื่อขยายการผลิตให้สอดคล้องกับแนวโน้มของตลาดก็จะมีเพิ่มมากขึ้นนั้น ขณะที่ ศูนย์วิจัยและพัฒนาหน่วยความจำ ซึ่งอยู่ติดกับ Fab 6 ได้เริ่มดำเนินการในเดือน มี.ค. ปีนี้ และจะสำรวจและส่งเสริมความก้าวหน้าในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ โตชิบา เมมโมรี่ และเวสเทิร์น ดิจิตอล ยังคงพัฒนาและขยายความเป็นผู้นำในธุรกิจหน่วยความจำ ด้วยการพัฒนาโครงการที่มุ่งเสริมสร้างความสามารถในการแข่งขัน การพัฒนาหน่วยความจำแบบ 3 มิติร่วมกัน และทำการลงทุนตามแนวโน้มของตลาด
ด้าน นายสตีฟ มิลลิแกน ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของเวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวว่า โรงงาน Fab 6 และศูนย์วิจัยและพัฒนาหน่วยความจำกับโตชิบา เมมโมรี่ จะส่งเสริมการเติบโตและนวัตกรรมของเทคโนโลยีแฟลชแบบ NAND เรากำลังดำเนินการผลิต NAND แบบ 3 มิติ 96 เลเยอร์ เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาด จากผู้บริโภคและแอพพลิเคชันโทรศัพท์มือถือไปยังศูนย์ข้อมูลแบบคลาวด์ โรงงาน Fab 6 เป็นโรงงานที่มีความก้าวล้ำและทันสมัยที่จะช่วยให้เราสามารถนำเทคโนโลยีและความเป็นผู้นำด้านต้นทุนของเราไปใช้ในอุตสาหกรรมต่อไปได้"
